Metodo EFG (Edge-defined Film Growth)
Il metodo EFG (Edge-defined Film Growth) consiste nell'ottenere un nastro di silicio monocristallino mediante un processo di trafilatura (figura accanto). Il nastro viene ottenuto mediante il passaggio, per effetto capillare, attraverso una fessura in cui sale il silicio liquido. Esistono alcuni problemi riguardo la purezza dei cristallo dovuti al fatto che il silicio fuso si presenta come un ottimo solvente e pertanto raccoglie le impurità della trafila. Il vantaggio rispetto al sistema di fusione in stampi consiste nel risparmio di materiale che questo procedimento permette. Comunque con il processo EFG sono state ottenute celle con rendimento dei 13%.
Pagina precedente
Ultima modifica: October 07 2007 05:47:38
Vota il contenuto di questa pagina (non verrà aperta nessuna pagina)
|
